20) ? true : false">
首页
英飞凌产品线
英飞凌产品应用
英飞凌相关型号
关于英飞凌
企业资讯
联系我们
❮
❯
首页
/
ADI相关型号
/
三极管/MOS管/晶体管
/
场效应管(MOSFET)
/
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:4.7A
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:4.7A
产品编号:
C6879142
型号:
IMBG120R350M1HXTMA1
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263-7
包装:
编带
包装数量:
1000
数量:
2
参数:
类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):1.2kV,连续漏极电流(Id):4.7A,导通电阻(RDS(on)):468mΩ@18V,2A
PDF:
查看PDF文档
价格信息
数量
单价
1+
56.74
10+
48.45
30+
43.40
100+
39.16
立即询价
相关产品
KTY21-7
KTY10-7
KT100
KTY23-5
IDW20G120C5B
IDT10S60C
IDT08S60C
IDT02S60C
50) ? true : false" :class="{ 'uc' : scrollTop }">
删除
提交询价信息
×
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)
询价型号
数量
批号
封装
品牌
其它要求
+
删除
联系人*
电话*
邮箱
QQ
提交询价信息