N沟道MOSFET,电流:11A,耐压:650V

产品编号： C3289203

型号： IPI60R299CP

品牌： Infineon(英飞凌)

封装： TO-262-3-1

包装：袋装

包装数量： 1

数量： 0

参数：类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,连续漏极电流(Id):11A,导通电阻(RDS(on)):299mΩ@10V,6.6A

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价格信息

数量	单价
1+	8.59
200+	3.33
500+	3.21
1000+	3.15